19/01/2016 | Verschiedenes
Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit...
18/01/2016 | Verschiedenes
Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von innovativer Halbleitertechnologie,...
26/11/2015 | Verschiedenes
Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory SEOUL, Korea, 26. November 2015 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten DDR4-Memorys...
23/11/2015 | Verschiedenes
Als erster Zulieferer von Halbleiterspeichern im Programm macht Samsung seine industrieweit führenden Lösungen für Automotive-Applikationen verfügbar Frankfurt am Main, 23. November 2015 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer...